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        產(chǎn)品中心

        晶圓薄膜厚度測量設(shè)備

        產(chǎn)品簡介

        WD4000晶圓薄膜厚度測量設(shè)備亞納米級精準(zhǔn)量測,解決半導(dǎo)體工藝中薄膜厚度測量中面臨的"傳統(tǒng)設(shè)備分辨率低,無法捕捉納米級薄膜厚度變化“"硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍(lán)寶石等精密晶圓表面“"多層/特殊晶圓適配難“等測量難題。

        產(chǎn)品型號:WD4000
        更新時間:2025-12-11
        廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
        訪問量:117
        詳細(xì)介紹在線留言

        WD4000晶圓薄膜厚度測量設(shè)備亞納米級精準(zhǔn)量測,解決半導(dǎo)體工藝中薄膜厚度測量中面臨的"傳統(tǒng)設(shè)備分辨率低,無法捕捉納米級薄膜厚度變化“"硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍(lán)寶石等精密晶圓表面“"多層/特殊晶圓適配難“等測量難題。


        一、解決半導(dǎo)體工藝核心痛點

        在半導(dǎo)體制造、外延生長、封裝減薄等核心工藝中,晶圓薄膜厚度的均勻性與精準(zhǔn)度直接決定芯片良率——薄膜厚度偏差哪怕是納米級,都可能導(dǎo)致光刻失焦、薄膜沉積不均、拋光殘留應(yīng)力等連鎖問題,最終造成批量產(chǎn)品報廢。WD4000以專屬核心技術(shù)突破傳統(tǒng)測量瓶頸,為超精密薄膜量測提供“精準(zhǔn)、高效、無損"的一體化解決方案。

        1.半導(dǎo)體工藝中薄膜厚度測量的四大難題

        (1)精度不足引發(fā)工藝缺陷:傳統(tǒng)設(shè)備分辨率低,無法捕捉納米級薄膜厚度變化,導(dǎo)致薄膜沉積不均、光刻焦點深度波動,直接影響電路圖案精度與后續(xù)蝕刻效果;

        (2)接觸式測量損傷工件:硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍(lán)寶石等精密晶圓表面,或破壞脆弱薄膜層,造成高價值工件報廢;

        (3)多層/特殊晶圓適配難:鍵合晶圓、外延片等多層結(jié)構(gòu),及低反射率、粗糙表面晶圓的薄膜厚度測量,傳統(tǒng)設(shè)備易出現(xiàn)信號干擾、數(shù)據(jù)失真;

        (4)效率低且數(shù)據(jù)脫節(jié):需多設(shè)備切換測量薄膜厚度、TTV、粗糙度等參數(shù),流程繁瑣且數(shù)據(jù)不同步,難以適配批量生產(chǎn)的高效檢測需求。

        2.WD4000薄膜厚度測量核心技術(shù)優(yōu)勢

        (1) 亞納米級分辨率

        搭載白光干涉光譜分析儀,通過專屬數(shù)值七點相移算法精準(zhǔn)計算,實現(xiàn)亞納米級(Z向分辨率0.1nm)薄膜局部高度測量,可捕捉最小納米級厚度變化,確保薄膜厚度數(shù)據(jù)精準(zhǔn)可追溯,滿足半導(dǎo)體工藝對量測精度的嚴(yán)苛要求。

        (2)雙技術(shù)適配多元場景

        紅外傳感器技術(shù):探測光經(jīng)晶圓不同表面反射形成干涉,精準(zhǔn)計算兩表面間距(即薄膜厚度),專為外延片、鍵合晶圓等多層結(jié)構(gòu)晶圓設(shè)計,輕松破解多層薄膜量測難題;

        非接觸式光學(xué)測量:光譜共焦+白光干涉雙重光學(xué)技術(shù),不接觸晶圓表面與薄膜層,從源頭避免劃傷、磨損等損傷,適配碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等多種材質(zhì),及光滑/粗糙、低反射率/高反射率等不同表面特性晶圓。

        (3) 一體化集成設(shè)計

        設(shè)備集成薄膜厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多參數(shù)測量模塊,無需多設(shè)備切換,一次性完成薄膜厚度及關(guān)聯(lián)幾何參數(shù)量測,避免數(shù)據(jù)拼接偏差。搭配自動上下料、CCD Mark定位巡航功能,支持多點、線、面自動測量,移動速度500mm/s,大幅提升批量生產(chǎn)檢測效率。

        (4)抗干擾設(shè)計+智能算法

        采用高精度花崗巖基座與獨特隔振設(shè)計,有效抵御地面振動與空氣聲波干擾;結(jié)合空間濾波、尖峰去噪等智能數(shù)據(jù)處理算法,過濾環(huán)境與設(shè)備干擾信號,確保薄膜厚度測量數(shù)據(jù)的重復(fù)性與穩(wěn)定性,實測數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)差低至0.03μm級。


        二、精準(zhǔn)解決客戶核心訴求

        晶圓薄膜厚度測量設(shè)備

        三、全場景覆蓋,不止于半導(dǎo)體

        WD4000晶圓薄膜厚度測量設(shè)備不僅深度適配半導(dǎo)體行業(yè)——覆蓋襯底制造、外延生長、晶圓制造、封裝減薄等前中后道全工藝段,還廣泛應(yīng)用于3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏等超精密加工領(lǐng)域,可滿足不同行業(yè)、不同規(guī)格晶圓的薄膜厚度精準(zhǔn)量測需求。


        四、實測數(shù)據(jù)佐證

        (附:3D厚度熱力圖、2D剖面圖,直觀呈現(xiàn)薄膜厚度分布;支持Excel/Word/TXT/SPC等多格式報表輸出,含CA/PPK/CPK等統(tǒng)計值,滿足質(zhì)量管控需求)


        立即聯(lián)系免費試樣!寄送您的晶圓樣品(含多層膜、特殊材質(zhì)),獲取專屬薄膜厚度測量實測報告!

        (注:支持線上咨詢、線下工廠考察與設(shè)備演示預(yù)約。本產(chǎn)品參數(shù)將根據(jù)技術(shù)迭代持續(xù)優(yōu)化,故本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。)

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